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碳化硅外延技术规范
[2021-02-23]
型号4英寸N型6英寸N型厚度120微米及以下120微米及以下浓度区间2E14-1E19 cm-38E14-1E19 cm-3浓度均匀性≤8%≤8%厚度均匀性≤2%≤2%
硅外延技术规范
[2021-02-23]
序号特征参数测试方法1外延层掺杂剂Boron, Phosphorus, Arsenic2外延层晶向<100>, <111>3外延层电阻率外延炉直径类型外延片电阻率均匀性
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