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我国第三代半导体材料制造设备取得新突破
[2017-11-06]
通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等...
全球硅晶圆供应告急 我国12英寸99%依赖进口
[2017-11-06]
据悉，硅晶圆一直是我国半导体产业链的一大短板，目前国内企业只能达到4～6英寸硅片的性能需要，并少量供应8英寸市场，12英寸硅晶圆基本是...
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