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- 普兴公司再创佳绩，“十三五”完美收官 [2021-02-23]
- --记普兴公司2020年12月份各项目标任务圆满完成 普兴公司自9月份以来各项经营指标持续攀升，整体运营呈现出快速增长的态
- 普兴公司6英寸碳化硅外延高速率生长工艺... [2021-02-23]
- 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度宽（3 26 eV）、击穿电场强度大（2 8 MV cm）、饱和电子迁移速度快（2 2*107
- 普兴公司第14届乒乓球比赛完美落幕 [2021-02-23]
- 为丰富员工的业余文化生活，提高员工身体素质，展现员工自我风采，日前普兴公司工会组织开展了第14届普兴杯乒乓球比赛。乒乓球比赛是普兴公
- 全面升级，马力全开， 普兴公司外延业... [2021-02-23]
- 根据公司十三五发展规划，公司不断进行产品结构调整和产品性能提升工作。2019年，半导体材料行业遇周期性的市场波动，全产业链需求低靡。普
- 普兴公司“扩规模”、“增产能”、“创... [2021-02-23]
- 12月1日，普兴公司二厂二期新厂房迎来了5台硅外延新设备，吹响了普兴大干30天，打赢收官战的号角，为实现公司全年产能效益目标贡献力量。新
- 我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 [2017-11-06]
- 通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等...
