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硅外延技术规范
文章作者：poshing 上传更新：2024-05-03
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序号
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特征
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参数
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测试方法
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1
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外延层掺杂剂
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Boron, Phosphorus, Arsenic
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2
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外延层晶向
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<100>, <111>
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3
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外延层电阻率
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外延炉
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直径
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类型
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外延片电阻率
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均匀性
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ASTM F723 F1392
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批式
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100mm
125mm
150mm
200mm
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P/P++; N/N+
N/N++,N/N+/N++
N/P/P; P/N/N+
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0.004（B:0.01）-3 Ω.cm
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≤±3%
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3-30 Ω.cm
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≤±5%
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>30 Ω.cm
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≤±6%
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单片
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150mm
200mm
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P/P++; N/N++
N/N+/N++
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0.3-3 Ω.cm
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≤±2%
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3-30 Ω.cm
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≤±3%
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4
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外延层厚度
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外延炉
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直径
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类型
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外延片厚度
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均匀性
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ASTM F95
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批式
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100mm
125mm
150mm
200mm
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P/P++; N/N+
N/N++, N/N+/N++
N/P/P; P/N/N+
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3-100μm
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≤±3%
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单片
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150mm
200mm
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P/P++;N/N++
N/N+/N++
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0.1-20μm
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≤±1%
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5
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堆垛层错密度性
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≤10/cm2
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ASTM F1810
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6
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滑移线
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≤5条，总长度<1/2圆片直径
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ASTM F1725 F1726
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7
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雾、划伤、凹坑、桔皮、裂纹、鸦爪、崩边、异物、背面沾污
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无
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ASTM F523
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8
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冠状边缘
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表面上凸起物高度不超过1/3延层厚度
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9
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点缺陷
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SEMI标准
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ASTM F523
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